三星宣布量产3纳米制程芯片，超车台积电

图片来源：三星

记者 | 彭新

6月30日，星宣宣布已经开始大规模生产3纳米芯片，布量是产纳程芯车台全球首家量产3纳米芯片的公司。

三星称，米制与前几代工艺使用FinFET技术不同，片超三星使用的积电全环绕栅极（gate-all-around， GAA）晶体管技术，星宣使新开发的布量第一代3纳米工艺可以降低45%的功耗，性能提高23%，产纳程芯车台并减少16%的米制面积。

纳米为一米的片超十亿分之一，是积电处理芯片时常用的晶体管宽度单位。这个数字越小，星宣芯片制程就越先进，布量也越容易提高性能。产纳程芯车台三星预计，在下一阶段芯片性能会提高，功耗和产品尺寸还将进一步下降。

三星并未公布首发客户名单，也没有详细说明新芯片的产量，但市场传出三星3纳米制程最初客户有上海磐矽半导体和等公司。

在晶圆代工市场，主要为和三星两家公司竞争，而台积电仍居于主导地位，占全球晶圆代工营收的一半以上，也是iPhone、iPad等产品处理器的独家供货商。

至于台积电3纳米制程进展，台积电董事长刘德音曾在本月初的股东会上提及，先进制程的进展都按照计划发展中，预计下半年将量产3纳米芯片。

与三星不同的是，台积电将采用较为成熟的FinFET（Fin Field Effect Transistor，FinFET）工艺，一直到2025年量产2纳米芯片时，才会采用GAA技术。另有报道称，和正在测试台积电的3纳米制程工艺。这也意味着，三星、台积电将用不同架构设计的3纳米制程进行对决。

目前三星也在开发3纳米乃至2纳米所需的第二代技术，声称相关技术能使晶片效能较7纳米时提高35%、面积减少45%，功耗降低五成。

(责任编辑：综合)